研發(fā)人員已經(jīng)在“憶阻器”下一代內(nèi)存技術(shù)方面取得了小的突破，一些人認(rèn)為它可能會(huì)替代當(dāng)今普遍應(yīng)用的閃存和DRAM技術(shù)。
惠普研發(fā)人員在周一《納米技術(shù)》雜志中提到，他們已經(jīng)掌握了電氣操作過程中“憶阻器”內(nèi)部發(fā)生變化時(shí)的基本化學(xué)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)。
惠普高級(jí)研究員......
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